FDS6612A
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDS6612A

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDS6612A-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 8.4A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Αποθέμα:

8237 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12851045
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDS6612A Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Last Time Buy
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8.4A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
22mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
7.6 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
560 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.5W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOIC
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDS6612

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
FDS6612ADKR
FDS6612ACT
FDS6612ATR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF7403TRPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
8205
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF7403TRPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.38
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMG4496SSSQ-13
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMG4496SSSQ-13-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.14
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMG4496SSS-13
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
18228
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMG4496SSS-13-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.09
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STS10N3LH5
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
4575
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STS10N3LH5-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.40
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMG4466SSS-13
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
9423
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMG4466SSS-13-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.09
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FQAF17N40

MOSFET N-CH 400V 12.2A TO3PF

infineon-technologies

IPAN65R650CEXKSA1

MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220

onsemi

FDD6530A

MOSFET N-CH 20V 21A TO252

onsemi

FDMC86260ET150

MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33