DMG4496SSSQ-13
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMG4496SSSQ-13

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMG4496SSSQ-13-DG

Περιγραφή:

MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 1.42W (Ta) Surface Mount 8-SOP

Αποθέμα:

RFQ Online
12986976
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMG4496SSSQ-13 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
10A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
21.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
10.2 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±25V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
493.5 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.42W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOP
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMG4496

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων
DMG4496SSS

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
31-DMG4496SSSQ-13TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDS8884
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
7218
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDS8884-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.19
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMG4496SSS-13
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
18228
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMG4496SSS-13-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.09
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
Πιστοποίηση DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMN2013UFDEQ-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6

nexperia

BUK9Y7R0-60ELX

SINGLE N-CHANNEL 60 V, 4.5 MOHM

panjit

PJW4P06A_R2_00001

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

diodes

DMN3061LCA3-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V X4-DSN1006