Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FQAF17N40
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FQAF17N40-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 400V 12.2A TO3PF
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 400 V 12.2A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-3PF
Αποθέμα:
12851046
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FQAF17N40 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
QFET®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
400 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
12.2A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
270mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2300 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
100W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-3PF
Συσκευασία / Θήκη
TO-3P-3 Full Pack
Βασικός αριθμός προϊόντος
FQAF1
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
360
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IPAN65R650CEXKSA1
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220
FDD6530A
MOSFET N-CH 20V 21A TO252
FDMC86260ET150
MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33
