FDMS3662
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDMS3662

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDMS3662-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V 8.9A/49A 8PQFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 8.9A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Αποθέμα:

29781 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12839599
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDMS3662 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8.9A (Ta), 49A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
14.8mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4620 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-PQFN (5x6)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDMS36

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
ONSFSCFDMS3662
FDMS3662TR
2156-FDMS3662-OS
FDMS3662DKR
FDMS3662CT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FDPF18N20FT

MOSFET N-CH 200V 18A TO220F

onsemi

FQP2N80

MOSFET N-CH 800V 2.4A TO220-3

onsemi

FCPF190N60E-F152

MOSFET N-CH 600V TO-220-3

onsemi

FDB2532

MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK