FDB2532
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDB2532

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDB2532-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 150 V 8A (Ta), 79A (Tc) 310W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Αποθέμα:

3812 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12839608
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDB2532 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
150 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8A (Ta), 79A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
16mOhm @ 33A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
5870 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
310W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-263 (D2PAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDB253

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
FDB2532CT
2156-FDB2532-OS
FDB2532TR
ONSFSCFDB2532
FDB2532DKR
2266-FDB2532

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FQB7N60TM

MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK

onsemi

FDMC7672S-F126

MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP

onsemi

FQU2N100TU

MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK

onsemi

MTY100N10E

MOSFET N-CH 100V 100A TO264