Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FQP2N80
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FQP2N80-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 800V 2.4A TO220-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 800 V 2.4A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220-3
Αποθέμα:
12839601
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FQP2N80 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
QFET®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
800 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.4A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
6.3Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
550 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
85W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
FQP2
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
2156-FQP2N80-OS
ONSONSFQP2N80
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STP3NK80Z
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
993
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STP3NK80Z-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.70
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FCPF190N60E-F152
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
FDB2532
MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
FQB7N60TM
MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK
