Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDC6322C
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDC6322C-DG
Περιγραφή:
MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SSOT6
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 25V 220mA, 460mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Αποθέμα:
12838609
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDC6322C Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
N and P-Channel
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
25V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
220mA, 460mA
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.7nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
9.5pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
700mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SuperSOT™-6
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDC6322
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTZD3155CT1G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
55534
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTZD3155CT1G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.08
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FDMS9600S
MOSFET 2N-CH 30V 12A 8MLP PWR56
FDC8602
MOSFET 2N-CH 100V 1.2A SSOT6
EFC6604R-TR
MOSFET 2N-CH 6EFCP
