Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDMS9600S
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDMS9600S-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 12A 8MLP PWR56
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 12A, 16A 1W Surface Mount 8-MLP (5x6), Power56
Αποθέμα:
12838648
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDMS9600S Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
12A, 16A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
13nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1705pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
1W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerWDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-MLP (5x6), Power56
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDMS9600
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDMS9600SCT
FDMS9600STR
FDMS9600SDKR
2832-FDMS9600S
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
CSD16410Q5A
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Texas Instruments
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2506
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
CSD16410Q5A-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.27
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
CSD16404Q5A
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Texas Instruments
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
4701
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
CSD16404Q5A-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.36
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FDC8602
MOSFET 2N-CH 100V 1.2A SSOT6
EFC6604R-TR
MOSFET 2N-CH 6EFCP
FDR8305N
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SUPERSOT-8