Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDC8602
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDC8602-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 100V 1.2A SSOT6
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 100V 1.2A 690mW Surface Mount SuperSOT™-6
Αποθέμα:
16909 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12838654
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDC8602 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.2A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
350mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
2nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
70pF @ 50V
Ισχύς - Μέγιστη
690mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SuperSOT™-6
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDC8602
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDC8602CT
FDC8602TR
2156-FDC8602-488
FDC8602DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
EFC6604R-TR
MOSFET 2N-CH 6EFCP
FDR8305N
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SUPERSOT-8
FDC6310P
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6
