FCD7N60TM
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FCD7N60TM

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FCD7N60TM-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Αποθέμα:

5978 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12846817
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FCD7N60TM Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
SuperFET™
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
7A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
920 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
83W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252AA
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
FCD7N60

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
FAIFSCFCD7N60TM
FCD7N60TMCT
FCD7N60TMDKR
FCD7N60TMTR
FCD7N60TM-DG
2156-FCD7N60TM-OS

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPD60R600P7SAUMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
9704
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPD60R600P7SAUMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.25
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STD10N60M2
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
6542
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STD10N60M2-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.53
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK8P60W,RVQ
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Toshiba Semiconductor and Storage
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK8P60W,RVQ-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.97
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STD10NM60ND
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2200
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STD10NM60ND-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.83
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
CDM7-600LR TR13 PBFREE
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Central Semiconductor Corp
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2239
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
CDM7-600LR TR13 PBFREE-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.57
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FQA33N10L

MOSFET N-CH 100V 36A TO3P

onsemi

FDN372S

MOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3

onsemi

NTD4959NHT4G

MOSFET N-CH 30V 9A/58A DPAK

onsemi

FCP13N60N

MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3