FQA33N10L
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FQA33N10L

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FQA33N10L-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V 36A TO3P
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 36A (Tc) 163W (Tc) Through Hole TO-3P

Αποθέμα:

12846826
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FQA33N10L Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
QFET®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
36A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
52mOhm @ 18A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
40 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1630 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
163W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-3P
Συσκευασία / Θήκη
TO-3P-3, SC-65-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
FQA3

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
450

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
2SK1317-E
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Renesas Electronics Corporation
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
5608
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
2SK1317-E-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
3.29
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FDN372S

MOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3

onsemi

NTD4959NHT4G

MOSFET N-CH 30V 9A/58A DPAK

onsemi

FCP13N60N

MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3

onsemi

FDB9509L-F085

MOSFET 40V 110X72 MIL DPAK