Αρχική
Προϊόντα
Κατασκευαστές
Σχετικά με DiGi
Επικοινωνήστε μαζί μας
Τα Blogs & Αναρτήσεις
Αίτηση προσφοράς/Προσφορά
Greek
Σύνδεση
Επιλογή Γλώσσας
Τρέχουσα γλώσσα της επιλογής σας:
Greek
Διακόπτης:
Αγγλικά
Ευρώπη
Ηνωμένο Βασίλειο
Γαλλία
Ισπανία
Τουρκία
Μολδαβία
Λιθουανία
Νορβηγία
Γερμανία
Πορτογαλία
Σλοβακία
Ιταλία
Φινλανδία
Ρωσικά
Βουλγαρία
Δανία
Εσθονία
Πολωνία
Ουκρανία
Σλοβενία
Τσεχικά
Ελληνικά
Κροατία
Ισραήλ
Σερβία
Λευκορωσία
Ολλανδία
Σουηδία
Μαυροβούνιο
Βασκικά
Ισλανδία
Βοσνία
Ουγγρικά
Ρουμανία
Αυστρία
Βέλγιο
Ιρλανδία
Ασία / Ειρηνικός
Κίνα
Βιετνάμ
Ινδονησία
Ταϊλάνδη
Λάος
Φιλιππινικά
Μαλαισία
Κορέα
Ιαπωνία
Χονγκ Κονγκ
Ταϊβάν
Σιγκαπούρη
Πακιστάν
Σαουδική Αραβία
Κατάρ
Κουβέιτ
Καμπότζη
Μυανμάρ
Αφρική, Ινδία και Μέση Ανατολή
Ηνωμένα Αραβικά Εμιράτα
Τατζικιστάν
Μαδαγασκάρη
Ινδία
Ιράν
ΛΔ Κονγκό
Νότια Αφρική
Αίγυπτος
Κένυα
Τανζανία
Γκάνα
Σενεγάλη
Μαρόκο
Τυνησία
Νότια Αμερική / Ωκεανία
Νέα Ζηλανδία
Αγκόλα
Βραζιλία
Μοζαμβίκη
Περού
Κολομβία
Χιλή
Βενεζουέλα
Ισημερινός
Βολιβία
Ουρουγουάη
Αργεντινή
Παραγουάη
Αυστραλία
Βόρεια Αμερική
Ηνωμένες Πολιτείες
Αϊτή
Καναδάς
Κόστα Ρίκα
Μεξικό
Σχετικά με DiGi
Σχετικά με εμάς
Σχετικά με εμάς
Οι Πιστοποιήσεις μας
DiGi Εισαγωγή
Γιατί DiGi
Πολιτική
Πολιτική Ποιότητας
Όροι χρήσης
Συμμόρφωση RoHS
Διαδικασία Επιστροφής
Πόροι
Κατηγορίες προϊόντων
Κατασκευαστές
Τα Blogs & Αναρτήσεις
Υπηρεσίες
Εγγύηση Ποιότητας
Τρόπος Πληρωμής
Παγκόσμια Αποστολή
Τιμές Αποστολής
Συχνές Ερωτήσεις
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FCP13N60N
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FCP13N60N-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 116W (Tc) Through Hole TO-220-3
Αποθέμα:
RFQ Online
12846833
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
*
Εταιρεία
*
Όνομα Επαφής
*
Τηλέφωνο
*
Ηλεκτρονικό ταχυδρομείο
Διεύθυνση Παράδοσης
Μήνυμα
(
*
) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FCP13N60N Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
SupreMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
13A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
258mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
39.5 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1765 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
116W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
FCP13N60
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
FCP13N60N
Φύλλα δεδομένων
FCP13N60N, FCPF13N60NT
HTML Δελτίο δεδομένων
FCP13N60N-DG
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
FCP13N60N-DG
FCP13N60NFS
2166-FCP13N60N-488
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STP24N60M2
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
189
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STP24N60M2-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.21
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STP20NM60FD
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
773
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STP20NM60FD-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
3.16
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SIHP15N60E-GE3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
16573
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SIHP15N60E-GE3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.26
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STP13NK60Z
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
770
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STP13NK60Z-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.07
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SIHP17N80E-GE3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1000
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SIHP17N80E-GE3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.07
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FDB9509L-F085
MOSFET 40V 110X72 MIL DPAK
FCA20N60FS
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
FQP4N20L
MOSFET N-CH 200V 3.8A TO220-3
NTGS3441T1G
MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP