FCB099N65S3
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FCB099N65S3

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FCB099N65S3-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Αποθέμα:

496 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12976027
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FCB099N65S3 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
SuperFET® III
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
30A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
99mOhm @ 15A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 740µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2480 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
227W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-263 (D2PAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
FCB099

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
FCB099N65S3
Φύλλα δεδομένων
FCB099N65S3
HTML Δελτίο δεδομένων
FCB099N65S3-DG

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
488-FCB099N65S3DKR
488-FCB099N65S3CT
488-FCB099N65S3TR
2832-FCB099N65S3TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NVB099N65S3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1409
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NVB099N65S3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.12
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FCB099N65S3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
496
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FCB099N65S3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.66
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
Πιστοποίηση DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Σχετικά προϊόντα
onsemi

NTBS9D0N10MC

MOSFET N-CH 100V 14A/60A TO263

toshiba-semiconductor-and-storage

TK090Z65Z,S1F

MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L

vishay-siliconix

SIDR510EP-T1-RE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE

vishay-siliconix

SIDR570EP-T1-RE3

N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE