Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NVB099N65S3
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NVB099N65S3-DG
Περιγραφή:
SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Αποθέμα:
1409 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12969683
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NVB099N65S3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
SuperFET® III
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
30A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
99mOhm @ 15A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 740µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2480 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
227W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-263 (D2PAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
488-NVB099N65S3DKR
488-NVB099N65S3CT
488-NVB099N65S3TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NVMFS5C430NLWFET1G
T6-40V N 1.4 MOHMS LL
NTMFS4C805NAT1G
TRENCH 6 30V NCH
NVTYS003N04CTWG
T6 40V N-CH SL IN LFPAK33