EFC4C002NLTDG
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

EFC4C002NLTDG

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

EFC4C002NLTDG-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 8WLCSP
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 2.6W Surface Mount 8-WLCSP (6x2.5)

Αποθέμα:

5000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12850843
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

EFC4C002NLTDG Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
-
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
-
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
-
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.2V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
45nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
6200pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
2.6W
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-XFBGA, WLCSP
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-WLCSP (6x2.5)
Βασικός αριθμός προϊόντος
EFC4C002

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
5,000
Άλλα ονόματα
488-EFC4C002NLTDGCT
EFC4C002NLTDG-DG
488-EFC4C002NLTDGTR
488-EFC4C002NLTDGDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

EFC4K105NUZTDG

MOSFET 2N-CH 22V 25A 10WLCSP

onsemi

FDMA1027P

MOSFET 2P-CH 20V 3A 6MICROFET

onsemi

FDJ1032C

MOSFET N/P-CH 20V 3.2A SC75-6

onsemi

ECH8601M-TL-H

MOSFET 2N-CH 24V 8A 8ECH