Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDMA1027P
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDMA1027P-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2P-CH 20V 3A 6MICROFET
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 3A 800mW Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Αποθέμα:
1900 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12850891
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDMA1027P Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 P-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
120mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
435pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
800mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-VDFN Exposed Pad
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
6-MicroFET (2x2)
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDMA1027
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDMA1027PTR
FDMA1027PCT
FDMA1027PDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PMDPB58UPE,115
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Nexperia USA Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
17912
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PMDPB58UPE,115-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.11
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FDJ1032C
MOSFET N/P-CH 20V 3.2A SC75-6
ECH8601M-TL-H
MOSFET 2N-CH 24V 8A 8ECH
FDC6301N
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
