Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
ECH8601M-TL-H
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
ECH8601M-TL-H-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 24V 8A 8ECH
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 24V 8A (Ta) Surface Mount 8-ECH
Αποθέμα:
12850946
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
ECH8601M-TL-H Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
24V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
23mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.3V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
-
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SMD, Flat Lead
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-ECH
Βασικός αριθμός προϊόντος
ECH8601
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
ECH8601M-TL-H-DG
ECH8601M-TL-HOSTR
ECH8601M-TL-HOSDKR
ECH8601M-TL-HOSCT
2156-ECH8601M-TL-H-ONTR
ONSONSECH8601M-TL-H
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ECH8697R-TL-W
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
7946
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ECH8697R-TL-W-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.18
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FDC6301N
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
FDMS3669S
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
EFC2J017NUZTDG
MOSFET 2N-CH 6WLCSP
