Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
ECH8602M-TL-H
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
ECH8602M-TL-H-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8ECH
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 6A 1.5W Surface Mount 8-ECH
Αποθέμα:
12837542
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
ECH8602M-TL-H Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
30mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
-
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
-
Ισχύς - Μέγιστη
1.5W
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SMD, Flat Lead
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-ECH
Βασικός αριθμός προϊόντος
ECH8602
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
2156-ECH8602M-TL-H
ONSONSECH8602M-TL-H
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ECH8663R-TL-H
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ECH8663R-TL-H-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.68
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FDS4935BZ
MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
FDW2507NZ
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP
FDS89161
MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
