FDS4935BZ
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDS4935BZ

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDS4935BZ-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC

Αποθέμα:

10800 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12837596
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDS4935BZ Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 P-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6.9A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
22mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
40nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1360pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
900mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOIC
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDS49

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
FDS4935BZDKR
2832-FDS4935BZTR
2156-FDS4935BZ-OS
FDS4935BZCT
FAIFSCFDS4935BZ
FDS4935BZTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FDW2507NZ

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP

onsemi

FDS89161

MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC

onsemi

FDC6301N_G

MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6

onsemi

FDG6308P

MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88