FDS89161
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDS89161

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDS89161-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 100V 2.7A 1.6W Surface Mount 8-SOIC

Αποθέμα:

22674 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12837663
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDS89161 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.7A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
105mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
4.1nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
210pF @ 50V
Ισχύς - Μέγιστη
1.6W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOIC
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDS89

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
FDS89161TR
FDS89161CT
FDS89161DKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FDC6301N_G

MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6

onsemi

FDG6308P

MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88

onsemi

FDME1034CZT

MOSFET N/P-CH 20V 3.8A 6MICROFET

onsemi

FDG8842CZ

MOSFET N/P-CH 30V 0.75A SC88