BS170
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

BS170

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

BS170-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Through Hole TO-92-3

Αποθέμα:

9395 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12851504
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

BS170 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
500mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 1mA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
40 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
830mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-92-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Βασικός αριθμός προϊόντος
BS170

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
10,000
Άλλα ονόματα
BS170OS-DG
2156-BS170-OS
BS170-NDR
BS170OS
FSCBS170
BS170OSINACTIVE

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
VN2106N3-G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Microchip Technology
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
6842
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
VN2106N3-G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.34
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
VN10KN3-G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Microchip Technology
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
6680
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
VN10KN3-G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.44
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

IRFR120ATM

MOSFET N-CH 100V 8.4A TO252AA

onsemi

HUF76443P3

MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3

onsemi

FDMS8050

MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN

infineon-technologies

BSC160N10NS3GATMA1

MOSFET N-CH 100V 8.8A/42A TDSON