FDMS8050
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDMS8050

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDMS8050-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 55A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Αποθέμα:

12851528
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDMS8050 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
55A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
0.65mOhm @ 55A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 750µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
285 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
22610 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
156W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-PQFN (5x6)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDMS80

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDMS8050OSDKR
2832-FDMS8050
FDMS8050-DG
FDMS8050OSTR
1990-FDMS8050CT
1990-FDMS8050DKR
FDMS8050OSCT
1990-FDMS8050TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
infineon-technologies

BSC160N10NS3GATMA1

MOSFET N-CH 100V 8.8A/42A TDSON

onsemi

MVGSF1N02LT1G

MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3

infineon-technologies

IRFS3006TRLPBF

MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK

onsemi

FQPF47P06YDTU

MOSFET P-CH 60V 30A TO220F-3