Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
BSC160N10NS3GATMA1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
BSC160N10NS3GATMA1-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 8.8A/42A TDSON
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 8.8A (Ta), 42A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Αποθέμα:
9 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12851540
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
PjEh
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
BSC160N10NS3GATMA1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Infineon Technologies
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
OptiMOS™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8.8A (Ta), 42A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
16mOhm @ 33A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.5V @ 33µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1700 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
60W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PG-TDSON-8-1
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
BSC160
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
5,000
Άλλα ονόματα
BSC160N10NS3 G-DG
BSC160N10NS3 G
BSC160N10NS3 GINDKR-DG
SP000482382
BSC160N10NS3GATMA1DKR
BSC160N10NS3GATMA1CT
BSC160N10NS3 GINDKR
BSC160N10NS3G
BSC160N10NS3GATMA1DKR-DGTR-DG
BSC160N10NS3 GINTR-DG
BSC160N10NS3 GINCT-DG
BSC160N10NS3 GINCT
BSC160N10NS3GATMA1TR
BSC160N10NS3GATMA1CT-DGTR-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PJQ5476AL_R2_00001
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Panjit International Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
639
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PJQ5476AL_R2_00001-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.28
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STL60N10F7
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2720
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STL60N10F7-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.51
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFH5210TRPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
4891
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFH5210TRPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.55
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDMS3662
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
29781
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDMS3662-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.19
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
CSD19534Q5A
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Texas Instruments
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
17145
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
CSD19534Q5A-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.35
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
MVGSF1N02LT1G
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
IRFS3006TRLPBF
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
FQPF47P06YDTU
MOSFET P-CH 60V 30A TO220F-3
