Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
APT15F60B
Product Overview
Κατασκευαστής:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
APT15F60B-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 16A TO247
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 16A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Αποθέμα:
13255976
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
APT15F60B Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Microsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
POWER MOS 8™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
16A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
430mOhm @ 7A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 500µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2882 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
290W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247 [B]
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
APT15F60
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
150-APT15F60B
APT15F60B-ND
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTBLS1D5N10MCTXG
MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
NTBG1000N170M1
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
NTHL1000N170M1
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
