NTBLS1D5N10MCTXG
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

NTBLS1D5N10MCTXG

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

NTBLS1D5N10MCTXG-DG

Περιγραφή:

MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 32A (Ta), 312A (Tc) 3.4W (Ta), 322W (Tc) Surface Mount 8-HPSOF

Αποθέμα:

13255978
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

NTBLS1D5N10MCTXG Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
32A (Ta), 312A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 799µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
131 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
10100 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.4W (Ta), 322W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-HPSOF
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerSFN

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,000
Άλλα ονόματα
488-NTBLS1D5N10MCTXGDKR
488-NTBLS1D5N10MCTXGCT
488-NTBLS1D5N10MCTXGTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

NTBG1000N170M1

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL

onsemi

NTHL1000N170M1

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL

onsemi

NTMFWS1D5N08XT1G

MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE

infineon-technologies

ISK018NE1LM7AULA1

ISK018NE1LM7AULA1 MOSFET