Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
NTBG1000N170M1
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
NTBG1000N170M1-DG
Περιγραφή:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1700 V 4.3A (Tc) 51W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Αποθέμα:
736 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13255983
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
NTBG1000N170M1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1700 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.43Ohm @ 2A, 20V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.3V @ 640µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
14 nC @ 20 V
Vgs (Μέγ.)
+25V, -15V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
150 pF @ 1000 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
51W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
D2PAK-7
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
488-NTBG1000N170M1TR
488-NTBG1000N170M1DKR
488-NTBG1000N170M1CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTHL1000N170M1
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
NTMFWS1D5N08XT1G
MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
ISK018NE1LM7AULA1
ISK018NE1LM7AULA1 MOSFET
