Αρχική
Προϊόντα
Κατασκευαστές
Σχετικά με DiGi
Επικοινωνήστε μαζί μας
Τα Blogs & Αναρτήσεις
Αίτηση προσφοράς/Προσφορά
Greek
Σύνδεση
Επιλογή Γλώσσας
Τρέχουσα γλώσσα της επιλογής σας:
Greek
Διακόπτης:
Αγγλικά
Ευρώπη
Ηνωμένο Βασίλειο
ΛΔ Κονγκό
Αργεντινή
Τουρκία
Ρουμανία
Λιθουανία
Νορβηγία
Αυστρία
Αγκόλα
Σλοβακία
Ιταλία
Φινλανδία
Λευκορωσία
Βουλγαρία
Δανία
Εσθονία
Πολωνία
Ουκρανία
Σλοβενία
Τσεχικά
Ελληνικά
Κροατία
Ισραήλ
Μαυροβούνιο
Ρωσικά
Βέλγιο
Σουηδία
Σερβία
Βασκικά
Ισλανδία
Βοσνία
Ουγγρικά
Μολδαβία
Γερμανία
Ολλανδία
Ιρλανδία
Ασία / Ειρηνικός
Κίνα
Βιετνάμ
Ινδονησία
Ταϊλάνδη
Λάος
Φιλιππινικά
Μαλαισία
Κορέα
Ιαπωνία
Χονγκ Κονγκ
Ταϊβάν
Σιγκαπούρη
Πακιστάν
Σαουδική Αραβία
Κατάρ
Κουβέιτ
Καμπότζη
Μυανμάρ
Αφρική, Ινδία και Μέση Ανατολή
Ηνωμένα Αραβικά Εμιράτα
Τατζικιστάν
Μαδαγασκάρη
Ινδία
Ιράν
Γαλλία
Νότια Αφρική
Αίγυπτος
Κένυα
Τανζανία
Γκάνα
Σενεγάλη
Μαρόκο
Τυνησία
Νότια Αμερική / Ωκεανία
Νέα Ζηλανδία
Πορτογαλία
Βραζιλία
Μοζαμβίκη
Περού
Κολομβία
Χιλή
Βενεζουέλα
Ισημερινός
Βολιβία
Ουρουγουάη
Ισπανία
Παραγουάη
Αυστραλία
Βόρεια Αμερική
Ηνωμένες Πολιτείες
Αϊτή
Καναδάς
Κόστα Ρίκα
Μεξικό
Σχετικά με DiGi
Σχετικά με εμάς
Σχετικά με εμάς
Οι Πιστοποιήσεις μας
DiGi Εισαγωγή
Γιατί DiGi
Πολιτική
Πολιτική Ποιότητας
Όροι χρήσης
Συμμόρφωση RoHS
Διαδικασία Επιστροφής
Πόροι
Κατηγορίες προϊόντων
Κατασκευαστές
Τα Blogs & Αναρτήσεις
Υπηρεσίες
Εγγύηση Ποιότητας
Τρόπος Πληρωμής
Παγκόσμια Αποστολή
Τιμές Αποστολής
Συχνές Ερωτήσεις
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IXFX80N60P3
Product Overview
Κατασκευαστής:
IXYS
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IXFX80N60P3-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 80A PLUS247-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 80A (Tc) 1300W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Αποθέμα:
3 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12819360
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
*
Εταιρεία
*
Όνομα Επαφής
*
Τηλέφωνο
*
Ηλεκτρονικό ταχυδρομείο
Διεύθυνση Παράδοσης
Μήνυμα
(
*
) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IXFX80N60P3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
HiPerFET™, Polar3™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
80A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
70mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 8mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
13100 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1300W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PLUS247™-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3 Variant
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFX80
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
IXFX80N60P3
Φύλλα δεδομένων
IXFK-FX80N60P3
HTML Δελτίο δεδομένων
IXFX80N60P3-DG
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
-IXFX80N60P3
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STW42N65M5
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
587
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STW42N65M5-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
5.58
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPW60R080P7XKSA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
423
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPW60R080P7XKSA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.60
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STW48NM60N
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
582
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STW48NM60N-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
8.75
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FCH072N60
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
39
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FCH072N60-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
4.53
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FCH070N60E
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
473
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FCH070N60E-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
5.38
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IXTK120N20P
MOSFET N-CH 200V 120A TO264
IXFT150N17T2
MOSFET N-CH 175V 150A TO268HV
IXFT42N50P2
MOSFET N-CH 500V 42A TO268
IXFX100N65X2
MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247-3