IXFX100N65X2
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IXFX100N65X2

Product Overview

Κατασκευαστής:

IXYS

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IXFX100N65X2-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 100A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole PLUS247™-3

Αποθέμα:

12819367
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IXFX100N65X2 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
HiPerFET™, Ultra X2
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
100A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
30mOhm @ 50A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5.5V @ 4mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
11300 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1040W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PLUS247™-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3 Variant
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFX100

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
IXFX100N65X2X-DG
IXFX100N65X2XINACTIVE
IXFX100N65X2X

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SCT3022ALGC11
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1695
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SCT3022ALGC11-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
36.29
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
littelfuse

IXTA160N04T2

MOSFET N-CH 40V 160A TO263

littelfuse

IXFP14N85XM

MOSFET N-CHANNEL 850V 14A TO220

littelfuse

IXFR90N20Q

MOSFET N-CH 200V ISOPLUS247

littelfuse

IXFT40N85XHV

MOSFET N-CH 850V 40A TO268