IXFT150N17T2
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IXFT150N17T2

Product Overview

Κατασκευαστής:

IXYS

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IXFT150N17T2-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 175V 150A TO268HV
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 175 V 150A (Tc) 880W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXFT)

Αποθέμα:

12819363
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IXFT150N17T2 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Littelfuse
Συσκευασία
Tube
Σειρά
HiPerFET™, TrenchT2™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
175 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
150A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
12mOhm @ 75A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
233 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
14600 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
880W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-268HV (IXFT)
Συσκευασία / Θήκη
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
IXFT150

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
30

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
littelfuse

IXFT42N50P2

MOSFET N-CH 500V 42A TO268

littelfuse

IXFX100N65X2

MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247-3

littelfuse

IXTA160N04T2

MOSFET N-CH 40V 160A TO263

littelfuse

IXFP14N85XM

MOSFET N-CHANNEL 850V 14A TO220