Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
G16P03D3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
G16P03D3-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 30V 45A DFN3*3-8L
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 45A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)
Αποθέμα:
5000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12975004
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
G16P03D3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Goford Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
45A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
12mOhm @ 10A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Δυνατότητα FET
Standard
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
55W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-DFN (3.15x3.05)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
5,000
Άλλα ονόματα
4822-G16P03D3TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IPT65R040CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 650V 8HSOF
PJMP900N60EC_T0_00001
600V SUPER JUNCITON MOSFET
TP65H150G4LSG-TR
650 V 13 A GAN FET
