Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMN65D8LDWQ-7
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMN65D8LDWQ-7-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 60V 180mA 300mW Surface Mount SOT-363
Αποθέμα:
4429 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12894960
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMN65D8LDWQ-7 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
180mA
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
6Ohm @ 115mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.87nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
22pF @ 25V
Ισχύς - Μέγιστη
300mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-363
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN65
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
31-DMN65D8LDWQ-7DKR
DMN65D8LDWQ-7-DG
31-DMN65D8LDWQ-7CT
31-DMN65D8LDWQ-7TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMT3009LDT-7
MOSFET 2N-CH 30V 30A 8VDFN
DMT47M2LDV-7
MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
DMT10H017LPD-13
MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50
