DMN65D8LDWQ-7
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN65D8LDWQ-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN65D8LDWQ-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 60V 180mA 300mW Surface Mount SOT-363

Αποθέμα:

4429 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12894960
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN65D8LDWQ-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
180mA
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
6Ohm @ 115mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.87nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
22pF @ 25V
Ισχύς - Μέγιστη
300mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-363
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN65

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
31-DMN65D8LDWQ-7DKR
DMN65D8LDWQ-7-DG
31-DMN65D8LDWQ-7CT
31-DMN65D8LDWQ-7TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMT3009LDT-7

MOSFET 2N-CH 30V 30A 8VDFN

diodes

DMT47M2LDV-7

MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333

diodes

DMT10H017LPD-13

MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50

diodes

DMNH6065SPDWQ-13

MOSFET 2N-CH 60V 27A POWERDI50