DMNH6065SPDWQ-13
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMNH6065SPDWQ-13

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMNH6065SPDWQ-13-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 60V 27A POWERDI50
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 60V 27A (Tc) 2.4W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type R)

Αποθέμα:

12895472
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMNH6065SPDWQ-13 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
27A (Tc)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
65mOhm @ 15A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
9.5nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
466pF @ 25V
Ισχύς - Μέγιστη
2.4W (Ta), 68W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount, Wettable Flank
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerDI5060-8 (Type R)
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMNH6065

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
DMNH6065SPDWQ-13DI

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMP2066LSD-13

MOSFET 2P-CH 20V 5.8A 8SO

taiwan-semiconductor

TSM500P02DCQ RFG

MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 6TDFN

taiwan-semiconductor

TSM8588CS RLG

MOSFET N/P-CH 60V 2.5A/5A 8SOP

taiwan-semiconductor

TSM4936DCS RLG

MOSFET 2N-CH 30V 5.9A 8SOP