Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
DMT10H017LPD-13
Product Overview
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
DMT10H017LPD-13-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 100V 54.7A (Tc) 2.2W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Αποθέμα:
2475 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12895307
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
DMT10H017LPD-13 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
54.7A (Tc)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
17.4mOhm @ 17A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
28.6nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1986pF @ 50V
Ισχύς - Μέγιστη
2.2W (Ta), 78W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerDI5060-8
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMT10
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
31-DMT10H017LPD-13DKR
31-DMT10H017LPD-13TR
DMT10H017LPD-13-DG
31-DMT10H017LPD-13CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
DMNH6065SPDWQ-13
MOSFET 2N-CH 60V 27A POWERDI50
DMP2066LSD-13
MOSFET 2P-CH 20V 5.8A 8SO
TSM500P02DCQ RFG
MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 6TDFN
