E3M0075120K
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

E3M0075120K

Product Overview

Κατασκευαστής:

Wolfspeed, Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

E3M0075120K-DG

Περιγραφή:

1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FET
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1200 V 32A (Tc) 145W (Tc) Through Hole TO-247-4L

Αποθέμα:

376 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12958951
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

E3M0075120K Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Wolfspeed
Συσκευασία
Tube
Σειρά
E-Series
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Silicon Carbide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
32A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
97.5mOhm @ 17.9A, 15V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.6V @ 5mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
55 nC @ 15 V
Vgs (Μέγ.)
+19V, -8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1480 pF @ 1000 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
145W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247-4L
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-4

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
1697-E3M0075120KCT-DG
1697-E3M0075120KCT
1697-E3M0075120KTR-DG
1697-E3M0075120KDKR-DG
1697-E3M0075120KTR
-3312-E3M0075120K
1697-E3M0075120KDKR
1697-E3M0075120K

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
renesas-electronics-america

NP90N06VDK-E1-AY

POWER TRANSISTOR N-CH AUTO POWER

infineon-technologies

BSS169IXTSA1

MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3

vishay-siliconix

SUP90100E-GE3

N-CHANNEL 200 V (D-S) MOSFET TO-

vishay-siliconix

IRFPC50APBF

MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3