Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IRFPC50APBF
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IRFPC50APBF-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AC
Αποθέμα:
4648 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12958981
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IRFPC50APBF Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
11A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
580mOhm @ 6A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2100 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
180W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247AC
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IRFPC50
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
25
Άλλα ονόματα
*IRFPC50APBF
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SQJ152EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
BSC019N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 28A/237A TSON-8
SIHG21N80AEF-GE3
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
