CCB021M12FM3
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

CCB021M12FM3

Product Overview

Κατασκευαστής:

Wolfspeed, Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

CCB021M12FM3-DG

Περιγραφή:

SIC 6N-CH 1200V 51A MODULE
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 51A Chassis Mount

Αποθέμα:

59 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12950408
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

CCB021M12FM3 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Wolfspeed
Συσκευασία
Tray
Σειρά
WolfPACK™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
Silicon Carbide (SiC)
Διαμόρφωση
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200V (1.2kV)
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
51A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
27.9mOhm @ 30A, 15V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.6V @ 17.7mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
162nC @ 15V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4900pF @ 800V
Ισχύς - Μέγιστη
-
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Chassis Mount
Συσκευασία / Θήκη
Module
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
-
Βασικός αριθμός προϊόντος
CCB021

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
18
Άλλα ονόματα
-3312-CCB021M12FM3
1697-CCB021M12FM3

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
wolfspeed

CAB008M12GM3

SIC 2N-CH 1200V

rohm-semi

SH8KE7TB1

MOSFET 2N-CH 100V 8A 8SOP

vishay-siliconix

SQ4946CEY-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC

vishay-siliconix

SI7234DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO8