Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
CAB008M12GM3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Wolfspeed, Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
CAB008M12GM3-DG
Περιγραφή:
SIC 2N-CH 1200V
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) Chassis Mount
Αποθέμα:
43 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12950411
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
CAB008M12GM3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Wolfspeed
Συσκευασία
Tray
Σειρά
WolfPACK™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
Silicon Carbide (SiC)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Half Bridge)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200V (1.2kV)
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
-
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
10.4mOhm @ 150A, 15V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.6V @ 46mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
472nC @ 15V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
13600pF @ 800V
Ισχύς - Μέγιστη
-
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Chassis Mount
Συσκευασία / Θήκη
Module
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
-
Βασικός αριθμός προϊόντος
CAB008
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
18
Άλλα ονόματα
1697-CAB008M12GM3
-3312-CAB008M12GM3
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SH8KE7TB1
MOSFET 2N-CH 100V 8A 8SOP
SQ4946CEY-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC
SI7234DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO8
