Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
JAN2N7335
Product Overview
Κατασκευαστής:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
JAN2N7335-DG
Περιγραφή:
MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 100V 750mA 1.4W Through Hole
Αποθέμα:
12930203
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
JAN2N7335 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Microsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
4 P-Channel
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
750mA
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
-
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
-
Ισχύς - Μέγιστη
1.4W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Military
Προσόν
MIL-PRF-19500/599
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Συσκευασία / Θήκη
14-DIP (0.300", 7.62mm)
Βασικός αριθμός προϊόντος
2N733
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1
Άλλα ονόματα
JAN2N7335-MIL
150-JAN2N7335
JAN2N7335-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
AON2812
MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 6DFN
SP8K33TB1
MOSFET 2N-CH 60V 8SOP
LP8M3FP8TB1
MOSFET N-CH SOP8G
