C3M0350120J-TR
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

C3M0350120J-TR

Product Overview

Κατασκευαστής:

Wolfspeed, Inc.

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

C3M0350120J-TR-DG

Περιγραφή:

SIC, MOSFET, 350M,1200V, TO-263-
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1200 V 7.2A (Tc) 40.8W (Tc) Surface Mount TO-263-7

Αποθέμα:

13005826
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

C3M0350120J-TR Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Wolfspeed
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
C3M™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
7.2A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
455mOhm @ 3.6A, 15V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.6V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
13 nC @ 15 V
Vgs (Μέγ.)
+15V, -4V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
345 pF @ 1000 V
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
40.8W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-263-7
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Βασικός αριθμός προϊόντος
C3M0350120

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
1697-C3M0350120J-TRCT
1697-C3M0350120J-TR
1697-C3M0350120J-TRDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
nexperia

GAN190-650FBEZ

650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE

stmicroelectronics

STW65N023M9-4

N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,

good-ark-semiconductor

GSGA6R015

MOSFET, N-CH, SINGLE, 175A, 150V

panjit

PSMQC094N10NS2_R2_00201

100V/ 9.4M/ EXCELLECT LOW FOM MO