Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
GAN190-650FBEZ
Product Overview
Κατασκευαστής:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
GAN190-650FBEZ-DG
Περιγραφή:
650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 11.5A (Ta) 125W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank DFN5060-5
Αποθέμα:
2013 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13005833
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
GAN190-650FBEZ Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Nexperia
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
GaNFET (Gallium Nitride)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
6V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
190mOhm @ 3.9A, 6V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 12.2mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
2.8 nC @ 6 V
Vgs (Μέγ.)
+7V, -1.4V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
96 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
125W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount, Wettable Flank
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DFN5060-5
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
GAN190
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
1727-GAN190-650FBEZCT
1727-GAN190-650FBEZTR
5202-GAN190-650FBEZTR
934665905332
1727-GAN190-650FBEZDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
STW65N023M9-4
N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,
GSGA6R015
MOSFET, N-CH, SINGLE, 175A, 150V
PSMQC094N10NS2_R2_00201
100V/ 9.4M/ EXCELLECT LOW FOM MO
