Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SUM90P10-19L-E3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SUM90P10-19L-E3-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 100 V 90A (Tc) 13.6W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Αποθέμα:
5936 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13006327
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SUM90P10-19L-E3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchFET®
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Κατάσταση εξαρτήματος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
90A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
19mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
326 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
11100 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
13.6W (Ta), 375W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-263 (D2PAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
SUM90
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SIHF35N60E-GE3
MOSFET N-CHANNEL 600V 32A TO220
SIHB6N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 5.4A D2PAK
SQJ488EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
