Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SIHF35N60E-GE3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SIHF35N60E-GE3-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CHANNEL 600V 32A TO220
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 32A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Αποθέμα:
13006350
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SIHF35N60E-GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tube
Σειρά
E
Συσκευασία
Tube
Κατάσταση εξαρτήματος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
32A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
94mOhm @ 17A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
132 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2760 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
39W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220 Full Pack
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3 Full Pack
Βασικός αριθμός προϊόντος
SIHF35
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STF43N60DM2
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
911
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STF43N60DM2-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.82
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SIHB6N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 5.4A D2PAK
SQJ488EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
SIR124DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAK
