Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SQA470EEJ-T1_GE3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SQA470EEJ-T1_GE3-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 2.25A (Tc) 13.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Αποθέμα:
5350 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13060824
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SQA470EEJ-T1_GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchFET®
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Κατάσταση εξαρτήματος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.25A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
56mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.6V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
5.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
453 pF @ 20 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
13.6W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerPAK® SC-70-6
Συσκευασία / Θήκη
PowerPAK® SC-70-6
Βασικός αριθμός προϊόντος
SQA470
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
SQA470EEJ-T1_GE3TR
SQA470EEJ-T1_GE3DKR
SQA470EEJ-T1_GE3CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SUP70090E-GE3
MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
SQ2351ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
SQ3418EEV-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP