SQ3418EEV-T1-GE3
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

SQ3418EEV-T1-GE3

Product Overview

Κατασκευαστής:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

SQ3418EEV-T1-GE3-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 40 V 8A (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Αποθέμα:

13060937
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

SQ3418EEV-T1-GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Συσκευασία
Cut Tape (CT)
Κατάσταση εξαρτήματος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8A (Tc)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
32mOhm @ 5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
660 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
6-TSOP
Συσκευασία / Θήκη
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Βασικός αριθμός προϊόντος
SQ3418

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
SQ3418EEV-T1-GE3TR
SQ3418EEV-T1-GE3CT
SQ3418EEVT1GE3
SQ3418EEV-T1-GE3DKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay

SI2305ADS-T1-E3

MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3

vishay

SI4124DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO

vishay

SI2304BDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3

vishay

SI7430DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8