Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SIRA66DP-T1-GE3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SIRA66DP-T1-GE3-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Αποθέμα:
13061260
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SIRA66DP-T1-GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Κατάσταση εξαρτήματος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
50A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.2V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
+20V, -16V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
62.5W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerPAK® SO-8
Συσκευασία / Θήκη
PowerPAK® SO-8
Βασικός αριθμός προϊόντος
SIRA66
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
SIRA66DP-T1-GE3DKR
SIRA66DP-T1-GE3CT
SIRA66DP-T1-GE3-ND
SIRA66DP-T1-GE3TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RS1E350BNTB
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
810
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RS1E350BNTB-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.65
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RS1E321GNTB1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
4800
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RS1E321GNTB1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.91
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RS3E095BNGZETB
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2500
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RS3E095BNGZETB-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.29
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RXH070N03TB1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2498
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RXH070N03TB1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.32
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SI4190DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC
SIS438DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
SI1480DH-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6
