RS1E321GNTB1
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

RS1E321GNTB1

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

RS1E321GNTB1-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 30V 32A/80A 8HSOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 32A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-HSOP

Αποθέμα:

4800 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13524414
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

RS1E321GNTB1 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
32A (Ta), 80A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.1mOhm @ 32A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
42.8 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2850 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-HSOP
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
RS1E

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
RS1E321GNTB1CT
RS1E321GNTB1TR
RS1E321GNTB1DKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

RD3H160SPFRATL

MOSFET P-CH 45V 16A TO252

rohm-semi

R6047ENZ1C9

MOSFET N-CH 600V 47A TO247

rohm-semi

RSS125N03FU6TB

MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOP

rohm-semi

RQ6E050ATTCR

MOSFET P-CH 30V 5A TSMT6