Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RS1E321GNTB1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RS1E321GNTB1-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 32A/80A 8HSOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 32A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-HSOP
Αποθέμα:
4800 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13524414
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RS1E321GNTB1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
32A (Ta), 80A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.1mOhm @ 32A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
42.8 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2850 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-HSOP
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
RS1E
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
RS1E321GNTB1CT
RS1E321GNTB1TR
RS1E321GNTB1DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RD3H160SPFRATL
MOSFET P-CH 45V 16A TO252
R6047ENZ1C9
MOSFET N-CH 600V 47A TO247
RSS125N03FU6TB
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOP
