Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SIHP050N60E-GE3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SIHP050N60E-GE3-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 51A TO220AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 51A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220AB
Αποθέμα:
926 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13008667
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SIHP050N60E-GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tube
Σειρά
E
Συσκευασία
Tube
Κατάσταση εξαρτήματος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
51A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
50mOhm @ 23A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3459 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
278W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220AB
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
SIHP050
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SIHG050N60E-GE3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
494
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SIHG050N60E-GE3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
4.98
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SIHB22N60AE-GE3
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
SQD40N06-14L_GE3
MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
SIS456DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
