Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SIA459EDJ-T1-GE3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SIA459EDJ-T1-GE3-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 9A (Tc) 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Αποθέμα:
15828 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13008977
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SIA459EDJ-T1-GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchFET®
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Κατάσταση εξαρτήματος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
35mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
885 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-50°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerPAK® SC-70-6
Συσκευασία / Θήκη
PowerPAK® SC-70-6
Βασικός αριθμός προϊόντος
SIA459
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SUD50N04-16P-E3
MOSFET N-CH 40V 9.8A/20A TO252
SIS410DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
SISS27DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
