Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SI7904BDN-T1-GE3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SI7904BDN-T1-GE3-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 6A 17.8W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Αποθέμα:
4384 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13059644
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SI7904BDN-T1-GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Βιομήχανος
Vishay Siliconix
Σειρά
TrenchFET®
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Κατάσταση εξαρτήματος
Last Time Buy
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
24nC @ 8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
860pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
17.8W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
PowerPAK® 1212-8 Dual
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerPAK® 1212-8 Dual
Βασικός αριθμός προϊόντος
SI7904
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
SI7904BDN-T1-GE3-ND
SI7904BDNT1GE3
SI7904BDN-T1-GE3CT
SI7904BDN-T1-GE3DKR
SI7904BDN-T1-GE3TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SIB914DK-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK8X8
SI5936DU-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
SI1900DL-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 0.63A SC70-6
