Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SIZF916DT-T1-GE3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SIZF916DT-T1-GE3-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 23A (Ta), 40A (Tc) 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
Αποθέμα:
890 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13061074
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SIZF916DT-T1-GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Βιομήχανος
Vishay Siliconix
Σειρά
TrenchFET® Gen IV
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Κατάσταση εξαρτήματος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
23A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerWDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-PowerPair® (6x5)
Βασικός αριθμός προϊόντος
SIZF916
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
2266-SIZF916DT-T1-GE3TR
SIZF916DT-T1-GE3TR
SIZF916DT-T1-GE3CT
SIZF916DT-T1-GE3DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SI4511DY-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8SOIC
SI5933CDC-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
SI1029X-T1-E3
MOSFET N/P-CH 60V 0.305A SC89
